COMPOSITE STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

본 발명은 전자부품용 복합구조체에 관한 것으로서, 오목부로 구성된 기저서브층으로 구성되며, 상기 기저서브층은 오목부의 분리면 상부에 위치하는 덮개층으로 구성된다. 오목부는 공동부를 형성하면서 둘러싸이는 구조이다. 기저서브층의 오목부는 전폭을 가지는 덮개층의 형성이전에 구성되며 상기 전폭은 덮개층이 구성되기 이전에 측정한 순수깊이의 1/2 이하의 전폭을 가지며 분리층에 평행하게 구성된다. 가스상으로부터 침전되는 덮개층의 재료로서, 덮개층에 대하여 삼축방향 성장을 선호하는 상당한 크기의 표면장력을 가진 재료가 사용된다. A compos...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GREEB, KARL-HEINRICH, ZACHAI, REINHARD, GUTHEI, TIM, MUNCH, WOLFRAM, SCHAUB, REINER, FERGUSON, MONA, FUSSER, HANS-JURGEN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 전자부품용 복합구조체에 관한 것으로서, 오목부로 구성된 기저서브층으로 구성되며, 상기 기저서브층은 오목부의 분리면 상부에 위치하는 덮개층으로 구성된다. 오목부는 공동부를 형성하면서 둘러싸이는 구조이다. 기저서브층의 오목부는 전폭을 가지는 덮개층의 형성이전에 구성되며 상기 전폭은 덮개층이 구성되기 이전에 측정한 순수깊이의 1/2 이하의 전폭을 가지며 분리층에 평행하게 구성된다. 가스상으로부터 침전되는 덮개층의 재료로서, 덮개층에 대하여 삼축방향 성장을 선호하는 상당한 크기의 표면장력을 가진 재료가 사용된다. A composite structure for electronic components, having a base substrate with a flat side provided with a depression, and having a cover layer which is disposed on the flat side structured by the depression, and the depression being covered to form a hollow structure. The depression in the base substrate is created prior to the deposition of the cover layer and has a clear width measured parallel to the flat side that is less than one-half of its clear depth measured before the cover layer is applied. The vapor phase deposited cover layer is formed from a material which has a sufficiently high surface tension to promote three-dimensional growth of the vapor phase deposited layer.