MANUFACTURING METHOD OF BIPOLAR TRANSISTOR

본 발명은 바이폴라트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 에피텍셜을 이용하여 콜렉터영역을 형성하고, 상기 콜렉터영역 표면에 완층용 산화막을 성장시킨 후 포토레지스트를 선택적 매스킹으로하여 이온주입으로 가드링영역 및 베이스영역을 차례로 형성하고, 소정의 온도로 확산과 산화를 실시하여 산화막을 성장시켜 에칭한 후 확산법으로 에미터영역 및 채널스톱퍼영역을 동시 형성하고, 기판전면에 메탈라인을 증착하여 각 영역의 전극을 형성하는 공정으로 이루어지며, 따라서 산화막의 단차가 발생되지 않는 것을 특징으로 한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	KIM, SUNG-RYANG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 바이폴라트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 에피텍셜을 이용하여 콜렉터영역을 형성하고, 상기 콜렉터영역 표면에 완층용 산화막을 성장시킨 후 포토레지스트를 선택적 매스킹으로하여 이온주입으로 가드링영역 및 베이스영역을 차례로 형성하고, 소정의 온도로 확산과 산화를 실시하여 산화막을 성장시켜 에칭한 후 확산법으로 에미터영역 및 채널스톱퍼영역을 동시 형성하고, 기판전면에 메탈라인을 증착하여 각 영역의 전극을 형성하는 공정으로 이루어지며, 따라서 산화막의 단차가 발생되지 않는 것을 특징으로 한다.