DUMMY WAFER

본 발명은 반도체 디바이스 제조공정에서 사용되는 테스트 더미웨이퍼를 제공하며, 그것은 실리콘 웨이퍼보다 더 양호한 엣칭저항과 기판에 요구되는 양호한 경면특성 및 평면도를 가지며 제조공정에서 아무런 오염을 일으키지 않는다. 더미 웨이퍼는 유리상 카본으로 구성되며 적어도 한면은 바람직하게 0.005㎛이하인 표면거칠기 (Ra)를 갖도록 경면연마된다. 본 발명의 더미 웨이퍼는 CVD막의 두께를 모니터링하기 위하여 더미 웨이퍼로서의 매우 양호한 특성을 갖는다. 0.1Ω·㎝이하인 고유 전기저항을 갖는 더미 웨이퍼는 스퍼터링에 의해 형성된 막의 두께를 모니터링하고, 청정도를 확인하기위하여 더미 웨이퍼로서 매우 양호한 특성을 나타낸다. The present invention provides a test dummy wafer used in the process for manufacturing a semiconductor device, which has more excellent etching resistance than a silicon wafer, and excellent mirror surface properties and evenness required for a substrate, and which causes no contamination source in the manufacturing process. The dummy wafer is composed of glassy carbon, and at least one side thereof is preferably polished to a mirror surface having a surface roughness Ra of not more than 0.005 mu m. The dummy wafer of the present invention has excellent characteristics as a dummy wafer for monitoring the thickness of a CVD film. The dummy wafer having specific electric resistance of not more than 0.1 OMEGA .cm exhibits excellent characteristics as a dummy wafer for monitoring the thickness of a film formed by sputtering and confirming cleanliness.