STRUCTURE OF CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 커패시터에 관한 것으로 특히, 스토리지 노드를 극대화하도록 한 커패시터의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 이와같은 본 발명의 커패시터의 구조는 기판; 상기 기판의 표면에 일정한 간격으로 제1, 제2콘택홀을 갖고 형성되는 제1, 제2절연막; 상기 제1, 제2콘택홀 내부에 형성되는 제1, 제2도전용 플러그; 상기 제1도전용 플러그와 제2절연막상의 일정부분에 형성되는 제1스토리지 노드; 상기 제1스토리지 노드상의 일정부분과 상기 제2도전용 플러그상에 형성되는 제3, 제4도전용 플러그; 상기 제3, 제4도전용 플러그상에 형성되...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: SHIM, PIL-BO
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 커패시터에 관한 것으로 특히, 스토리지 노드를 극대화하도록 한 커패시터의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 이와같은 본 발명의 커패시터의 구조는 기판; 상기 기판의 표면에 일정한 간격으로 제1, 제2콘택홀을 갖고 형성되는 제1, 제2절연막; 상기 제1, 제2콘택홀 내부에 형성되는 제1, 제2도전용 플러그; 상기 제1도전용 플러그와 제2절연막상의 일정부분에 형성되는 제1스토리지 노드; 상기 제1스토리지 노드상의 일정부분과 상기 제2도전용 플러그상에 형성되는 제3, 제4도전용 플러그; 상기 제3, 제4도전용 플러그상에 형성되는 제2스토리지 노드; 상기 제1, 제2스토리지 노드를 포함한 전면에 형성되는 유전체막과 플레이트 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.