STORAGE ELECTRODE FABRICATION METHOD OF CAPACITOR

본 발명은 캐패시터의 전하저장전극 제조방법에 관하여 개시된다. 본 발명은 접합부 윗쪽의 전하저장전극 표면에 요홈을 형성하고, 이 요홈부분과 전하저장전극의 가장자리부분에 습식식각비가 서로 다른 적어도 이중구조 이상의 희생막을 이용하여 폴리실리콘 스페이서를 형성하여 유효 표면적을 극대화 할 수 있다....

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GU, YEOG-MO, YEO, TAE-JEOG, HOG, HEUNG-GI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ELECTRICITY
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 캐패시터의 전하저장전극 제조방법에 관하여 개시된다. 본 발명은 접합부 윗쪽의 전하저장전극 표면에 요홈을 형성하고, 이 요홈부분과 전하저장전극의 가장자리부분에 습식식각비가 서로 다른 적어도 이중구조 이상의 희생막을 이용하여 폴리실리콘 스페이서를 형성하여 유효 표면적을 극대화 할 수 있다.