METHOD OF FORMING A FLUORINATED SILICON OXIDE LAYER USING PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

플라즈마 화학 증착에 의해 불화 실리콘 산화 유전층(33)을 형성하는 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은 플라즈마 챔버(10)내에서 플라즈마의 발생 단계와, 실리콘 함유 가스,불소 함유 가스 산소 및 불활성 가스의 주입 단계로서 상기 가스들이 플라즈마에 의해 여기되어 기판(16)의 표면상에 불화 실리콘 산화층을 형성 하도록 기판(16) 근처에서 반응한다. 전술한 방법으로 형성된 불화 층은 실리콘 산화층의 유전 상수보다 적은 유전 상수를 갖는다. A method of forming a fluorinated silicon oxide dielectric layer by plasma chemical vapor deposition. The method includes the steps of creating a plasma in a plasma chamber and introducing a silicon-containing gas, a fluorine-containing gas, oxygen and an inert gas such that the gases are excited by the plasma and react proximate a substrate to form a fluorinated silicon oxide layer on the surface of the substrate. The fluorinated layer formed has a dielectric constant which is less than that of a silicon oxide layer.