NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MAKING METHOD THEREOF

본 발명의 비휘발성 메모리 장치는 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성되고 얇은 제1부분고 상기 제1부분보다 두꺼운 제2부분으로 구성된 제1절연막과, 상기 제1절연막의 얇은 제1부분과 인접한 기판의 표면 근방에 상기 제1절연막의 얇은 제1부분과 오버랩되고 상기 제1도전형과 반대의 도전형으로 형성되는 제1불순물영역의 제1부분과, 상기 제1불순물 영역의 제1부분상에 상기 제1불순물 영역의 제1부분보다 얕게 형성되고 상기 제1도전형과 반대의 도전형으로 형성되어 소오스 및 드레인 역할을 하는 제1불순물 영역이 제2부분과, 상기 제1절연막의 제2부분과 인접한 반도체 기판의 표면 근방에 상기 제1도전형과 반대의 도전형으로 형성되고 소오스 및 드레인 역할을 하는 제2불순물 영역과, 상기 제1절연막 상에 순차적으로 형성되는 부유게이트, 유전체층과, 제어게이트와, 상기 제어게이트, 유전체층 및 부유게이트의 측벽과 상기 기판상에 형성되는 제2절연막을 구비한다. 이에 따라, 본 발명은 얇은 제1절연막의 질을 향상시킬 수 있어 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.