METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY CELL

기 형성된 비트라인이 산화되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 반도체 메모리 셀 제조 방법에 관하여 기재되어 있다. 이는 반도체 기판상에 반도체 메모리 셀의 비트라인을 형성하는 단계, 상기 비트라인이 형성된 결과물 전면 상에 층간 절연층을 형성한 후, 층간 절연층의 상부를 평탄화하는 단계, 층간 절연층 상에 식각 방지를 위한 균일한 산화막층을 형성하는 단계, 층간 절연층 및 식각 방지를 위한 균일한 산화막층을 선택적으로 식각하여 층간 절연층 하부의 반도체 기판을 노출시키는 접촉 개구부를 형성하는 단계, 접촉 개구부 내부 및 식각 방지를 위한 균일한 산화막층 상에 도전 물질을 증착한 후, 도전물질층의 상부를 선택적으로 식각하여 하부 전극 패턴을 형성하는 단계, 하부 전극 패턴이 형성된 결과물 전면 상에 산소 투과 방지를 위한 질화막층을 형성하는 단계, 상기 질화막층을 습식 산화함으로써 커패시터의 유전체층을 형성하는 단계, 및 산소 투과 방지를 위한 질화막층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 셀 제조 방법을 제공한다. 이로서, 비트라인을 형성한 후, 후속 공정, 예컨대 하부 전극 패턴을 형성하기 위한 식각 공정에서 기 형성된 비트라인이 산화되는 것을 효과적으로 방지하여 반도체 메모리 셀 소자 실패를 최소화할 수 있다.