METHOD OF MANUFACTURING LASER DIODE
발광면의 상부에 전류차단층을 형성한 접합다운 리지드 웨이브 가이드 레이저 다이오드에 관한 것으로, 제1도전형의 반도체 기판상에 제1도전형의 버퍼층, 제1도전형의 클래드층, 활성층, 제1도전형과 반대도전형인 제2도전형의 클래드층, 제2도전형의 캡층, 제1도전형의 선택층, 제2도전형의 선택층을 차례로 성장시키는 공정과, 전면에 제1산화막을 도포하고 외곽부분을 남겨서 패턴을 형성한 후 제1산화막을 마스크로 사용하여 제2도전형의 캡층이 노출될 때까지 식각하는 공정과, 전면에 제2산화막을 도포한후 노출된 제2도전형의 캡층상의 외곽부분의 제2...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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| Zusammenfassung: | 발광면의 상부에 전류차단층을 형성한 접합다운 리지드 웨이브 가이드 레이저 다이오드에 관한 것으로, 제1도전형의 반도체 기판상에 제1도전형의 버퍼층, 제1도전형의 클래드층, 활성층, 제1도전형과 반대도전형인 제2도전형의 클래드층, 제2도전형의 캡층, 제1도전형의 선택층, 제2도전형의 선택층을 차례로 성장시키는 공정과, 전면에 제1산화막을 도포하고 외곽부분을 남겨서 패턴을 형성한 후 제1산화막을 마스크로 사용하여 제2도전형의 캡층이 노출될 때까지 식각하는 공정과, 전면에 제2산화막을 도포한후 노출된 제2도전형의 캡층상의 외곽부분의 제2산화막을 제거하여 패턴을 형성하는 공정과, 제2산화막 패턴을 이용하여 노출된 제2도전형의 캡층과 소정깊이의 제2도전형의 클래드층을 식각하고 제1산화막 및 제2산화막이 도포되지 않은 부분에 비도프된 AℓGaAs 층, 비도프된 GaAs층을 차례로 재성장시키는 공정과, 남아있는 제1 및 제2산화막을 제거하고 전면에는 제2도전형의 메탈을, 제1도전형의 반도체 기판 하부에는 제1도전형의 메탈을 각각 증착시키는 공정으로 이루어진다. |
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