FORMING METHOD OF CONTACT HOLE IN SEMICONDUCTOR DEVICE

반도체 장치의 접촉창 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체 기판 상에 트랜지스터 등과 같은 하부구조물을 형성하는 단계, 상기 하부구조물을 절연시키는 층간절연층을 형성하는 단계, 상기 층간절연층 상에 식각저지층을 형성하는 단계, 접촉창이 형성될 소정부위의 상기 식각저지층 및 층간절연층의 일부를 식각하여 리세스를 형성하는 단계, 상기 리세스의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계, 상기 스페이서를 마스크로 사용하여 상기 층간절연층의 일부가 남도록 상기 층간 절연층을 식각하는 단계, 상기 스페이서 및 식각저지층을 제거하는 단계 및 접촉창이 형성될 부분에 잔존하는 상기 층간절연층을 제거하는 단계를 구비한다. 따라서, 미세접촉창 형성과 동시에, 접촉창의 프로파일(profile)을 개선함으로써, 후속 막 증착공정시 단차도포성이 개선될 수 있다. A method for forming an opening in an integrated circuit device with an improved aspect ratio includes the following steps. An inter-insulating layer is formed on a surface of a substrate. A recess having a first width is then formed in the inter-insulating layer. Next, a hole having a second width is formed in the inter-insulating layer at a base of the recess, wherein the first width is greater than the second width. Thus, an opening is formed to have a cross-sectional shape of a step where its upper portion formed by the recess which is wider than its lower portion formed by the hole. Accordingly, open circuits caused by voids formed in the opening in subsequent metal deposition steps may be prevented.