CAPACITOR FABRICATION METHOD
반도체 커패시터의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 커패시터의 유효 면적을 증가시키는 방법으로 실린더 모양의 스토리지 노드를 가지는 구조를 적용하였으며, 이는 절연막에 개구부를 형성하고 개구부의 측벽에 다결정 실리콘층으로 형성된 스토리지 노드를 만드는 방법을 이용하였다. 본 발명의 방법에 의하여 커패시터에 증착하는 다결정 실리콘층의 두께를 최소화할 수 있으며, 종래의 방법에 비하여 다결정 실리콘층을 증착하는 횟수도 감소하였기 때문에 생산 원가의 관점에서 훨씬 유리하다....
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | 반도체 커패시터의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 커패시터의 유효 면적을 증가시키는 방법으로 실린더 모양의 스토리지 노드를 가지는 구조를 적용하였으며, 이는 절연막에 개구부를 형성하고 개구부의 측벽에 다결정 실리콘층으로 형성된 스토리지 노드를 만드는 방법을 이용하였다. 본 발명의 방법에 의하여 커패시터에 증착하는 다결정 실리콘층의 두께를 최소화할 수 있으며, 종래의 방법에 비하여 다결정 실리콘층을 증착하는 횟수도 감소하였기 때문에 생산 원가의 관점에서 훨씬 유리하다. |
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