SEMICONDUCTOR LASER DIODE

본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드의 활성층에 SCL을 적용함으로써 매우 낮은 문턱전류값을 갖는 고품질의 반도체 레이저 다이오드를 구현하기 위한 것이다. 본 발명은 제1도전형 기판상에 순차적으로 형성된 제1도전형 클래드층과, 제1광가이드층, 활성층과 반대방향의 스트레인을 가지는 SCL, 스트레인이 가해진 단일양자우물활성층, 활성층과 반대방향의 스트레인을 가지는 SCL, 제2광가이드층 및 제2도전형 클래드층을 포함하는 반도체 레이저 다이오드를 제공한다. Semiconductor laser diode in which an SCL (Strain Compensated Layer) is formed at an active layer of a 635 nm band semiconductor laser diode for having very low threshold current, is disclosed, including a first conduction type clad layer; a first optical guide layer; a strain compensated layer; an active layer having a strain applied thereto; a strain compensated layer; a second optical guide layer; and, a second conduction type clad layer, wherein the above layers are formed on a first conduction type substrate in succession.