METHOD OF MANUFACTURING LASER DIODE
본 발명은 헤테로다인 배리어 블로킹 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 전장의 일측 종단부가 확산되는 것을 방지하고, 비점수차의 값을 대폭적으로 줄이는 수단에 관한 것으로, P-N접합의 P측과 N측 양쪽에 전류 주입 제한 영역을 두어 전장이 같히게 함으로써 전장의 일측이 확산되는 것을 방지하고, 이로인하여 더욱 낮은 발진 개시치와 높은 효율을 얻을 수 있게되며, 양측의 클래드층에서 광 가이드을 층을 삽입하게 함으로써 굴절률 차이가 생기게 하고 이에의해 비 점수차의 값을 한층 줄일 수 있게 하였다....
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | 본 발명은 헤테로다인 배리어 블로킹 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 전장의 일측 종단부가 확산되는 것을 방지하고, 비점수차의 값을 대폭적으로 줄이는 수단에 관한 것으로, P-N접합의 P측과 N측 양쪽에 전류 주입 제한 영역을 두어 전장이 같히게 함으로써 전장의 일측이 확산되는 것을 방지하고, 이로인하여 더욱 낮은 발진 개시치와 높은 효율을 얻을 수 있게되며, 양측의 클래드층에서 광 가이드을 층을 삽입하게 함으로써 굴절률 차이가 생기게 하고 이에의해 비 점수차의 값을 한층 줄일 수 있게 하였다. |
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