METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 텅스텐 폴리사이드로 구비된 게이트 전극을 형성할 때 텅스텐 폴리사이드로부터 게이트 산화막으로 플로린(F)이 확산되는 것을 억제 하기 위하여 텅스텐 실리사이드막을 2중층으로 형성하고, 산소 분위기에서 상부의 텅스텐 실리사이드막의 작은 입자 표면에 산화막을 형성하는 동시에 주위에 있는 플로린이 산화막 속에 포함되도록 하여 그로 인하여 후속의 고온 공정에서 상부의 텅스텐 실리사이드막에 포함된 플로린이 하부의 게이트 산화막으로 확산되는 것을 억제할 수가 있다. Disclosed is a method for fabricating a semiconductor device, especially suitable for a highly-integrated semiconductor device. In the method, a lower tungsten silicide film having an amorphous construction is formed on a poly silicon film on a gate oxide film formed on a semiconductor substrate. On the lower tungsten silicide film, an upper tungsten silicide film having a plurality of small grains between which gaps are defined. Thereafter, oxide films are formed on the crystallized grains by heat treatment under an oxygen atmosphere.