ION BEAM IMPLANTATION METHOD AND APPARATUS FOR PARTICULATE CONTROL

[목적] 이온주입장치의 보수성을 향상시키면서, 이온주입실 부근의 미립자 오염을 감소시키는 것. [구성] 이온소오스와 적당한 질량의 이온을 비임경로에 따라서 이온주입부에 전진시키고, 그외 이온은 이온경로로부터 이탈시키는 비임분해기와, 이온주입시에 분해자석을 작동시켜 이온소오스로부터 나온 이온을 구부려서 이온주입실에 도달하는 괴도에 타고, 또한 비주입시에는 분해자석을 제거하도록 비임분해기를 조절하는 제어수단과, 비주입시에 이온소오스로부터 나온 이온을 직선경로에 따라서 전진시켜 이것을 포착하는 이온콜렉터를 구비하고 주입실 부근의 미립자 오염을 경감하도록 한 이온비임주입장치. An ion beam implanter (10) having a remote ion beam collector (120) to reduce particulate contamination in the region of the implant chamber. A resolving magnet (14) is activated during implantation to bend ions that exit a source to a trajectory leading to an ion implantation chamber (22). By de-activating the resolving magnet when not implanting, ions from the source follow a linear path to the ion beam collector.