SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL

PURPOSE:To obtain both functions of an ROM and a non-volatile RAM erasable electrically and to improve the conventionality, by combining a CMOS memory cell and an N channel MNOS transistor (TR). CONSTITUTION:An anode of a diode D is connected to a drain of a TR T1 of a CMOS memory consisting of elec...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: TOKUSHIGE KAORU
Format: Patent
Sprache:eng
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