INTEGRATED CIRCUIT

PURPOSE:To remove parasitic thyrister effect which is characteristically generated in C/MOS circuit.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHIGEMATSU TOMOHISA, SUZUKI YASOJI
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	PURPOSE:To remove parasitic thyrister effect which is characteristically generated in C/MOS circuit.