METAL WIRING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT

PURPOSE: To eliminate the increase of the wiring resistance of a metallic wiring film connecting each element, etc., and to improve the performance characteristic of a semiconductor element, and then, to simplify a process by forming an ohm contact containing the same type of impurity at the contact...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KIN ICHIGEN, KIN GENTETSU
Format: Patent
Sprache:eng
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