SEMICONDUCTOR DEVICE AND DATA SAVING SYSTEM
To provide a semiconductor device with improved mass productivity, and a data saving system including the semiconductor device with improved mass productivity.SOLUTION: A semiconductor device includes a plate layer, gate electrodes stacked on the plate layer apart from each other along a first direc...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | To provide a semiconductor device with improved mass productivity, and a data saving system including the semiconductor device with improved mass productivity.SOLUTION: A semiconductor device includes a plate layer, gate electrodes stacked on the plate layer apart from each other along a first direction that is perpendicular to an upper surface of the plate layer, a channel structure penetrating at least a part of the gate electrodes and extending along the first direction, and contact plugs extending along the first direction penetrating the gate electrodes and electrically connected to the gate electrodes. The gate electrode includes a first gate electrode with a first thickness and a second gate electrode with a second thickness larger than the first thickness. Of the gate electrodes, at least two gate electrodes including the second gate electrode is commonly connected to a first contact plug among the contact plugs.SELECTED DRAWING: Figure 2a
【課題】量産性が向上した半導体装置を提供し、量産性が向上した半導体装置を含むデータ保存システムを提供する。【解決手段】本発明の実施形態による半導体装置は、プレート層、上記プレート層上で上記プレート層の上面に垂直な第1方向に沿って互いに離隔して積層されるゲート電極、上記ゲート電極の少なくとも一部を貫通し、上記第1方向に沿って延びるチャネル構造物、及び上記ゲート電極を貫通して上記第1方向に沿って延び、上記ゲート電極と電気的に連結されるコンタクトプラグを含み、上記ゲート電極は、第1厚さを有する第1ゲート電極及び上記第1厚さよりも大きい第2厚さを有する第2ゲート電極を含み、上記ゲート電極のうち、上記第2ゲート電極を含む少なくとも2つのゲート電極が、上記コンタクトプラグのうち第1コンタクトプラグに共通に連結される。【選択図】図2a |
---|