METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element that can shorten the time required for element division and improve element division accuracy.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor laser element 1A of an embodiment includes a first step of preparing a wafer 100 and a second step of forming an element division groove 20 by etching along an element division line L2. The element division groove 20 includes a first portion 21 and a second portion 22. A portion composed of at least the first portion 21 in an inner surface 20a of the element division groove 20 slants in a Z-axis direction so that a width in a Y-axis direction of the element division groove 20 becomes small as it heads to the second principal surface 100b side from the first principal 100a side. An inclination angle θ1 of the inner surface 20a of the first portion 21 with respect to the Z-axis direction is greater than an inclination angle of the inner surface 20a of the second portion 22 with respect to the Z-axis direction.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】素子分割にかかる時間を短縮できると共に素子分割の精度を向上させることができる。【解決手段】一実施形態の半導体レーザ素子１Ａの製造方法は、ウェハ１００を用意する第１工程と、素子分割ラインＬ２に沿って、エッチングによって素子分割溝２０を形成する第２工程と、を含む。素子分割溝２０は、第１部分２１と、第２部分２２と、を有する。素子分割溝２０の内面２０ａのうち少なくとも第１部分２１によって構成された部分は、第１主面１００ａ側から第２主面１００ｂ側に向かうにつれて素子分割溝２０のＹ軸方向の幅が小さくなるようにＺ軸方向に対して傾斜している。Ｚ軸方向に対する第１部分２１の内面２０ａの傾斜角度θ１は、Ｚ軸方向に対する第２部分２２の内面２０ａの傾斜角度よりも大きくされている。【選択図】図７