METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

To improve the reliability of semiconductor devices.SOLUTION: Inside a trench TR, a field plate electrode FP is formed on an insulating film IF1. Next, the isotropic etching process is performed on the insulating film IF1 to reduce the thickness of the insulating film IF1 and expose the top of the field plate electrode FP from the insulating film IF1. Next, the isotropic etching process (chemical dry etching process) is performed on the field plate electrode FP exposed from the insulating film. This allows the top corners of the field plate electrode FP to be chamfered or rounded, thereby reducing the concentration of electric fields at the top of the field plate electrode FP.SELECTED DRAWING: Figure 12 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】トレンチＴＲの内部において、絶縁膜ＩＦ１上に、フィールドプレート電極ＦＰを形成する。次に、絶縁膜ＩＦ１に対して等方性エッチング処理を行うことで、絶縁膜ＩＦ１の厚さを薄くすると共に、フィールドプレート電極ＦＰの上部を絶縁膜ＩＦ１から露出させる。次に、絶縁膜から露出しているフィールドプレート電極ＦＰに対して、等方性エッチング処理（ケミカルドライエッチング処理）を行う。これにより、フィールドプレート電極ＦＰの上部の角が面取りされるか、丸められるので、フィールドプレート電極ＦＰの上部における電界の集中を緩和できる。【選択図】図１２