SEMICONDUCTOR DEVICE

To improve voltage withstanding with a simple structure and shorten the length of a termination structure part.SOLUTION: A termination structure part 101 is disposed outside an active part 102, and includes a p- layer 6, a p- layer 9, and a plurality of p+ layers 8 forming a JTE region, and an n+ channel stopper region 4. The p- layer 6 and the p- layer 9 are provided continuously to a p+ base layer 3 in the active part 102, and form a pn junction with an n- type silicon carbide epitaxial layer 1. The p- layer 6 and the p- layer 9 are present apart from a front surface of a semiconductor base body and not in contact with an interlayer insulating film 5. The p- layer 9 is terminated further on the outside than the p- layer 6. Between the front surface of the semiconductor base body and the p- layer 9, the p+ layer 8 and the n- type silicon carbide epitaxial layer 1 are disposed alternately repeatedly to the outside. The n+ type channel stopper region 4 is provided on the outermost side of the termination structure part 101 apart from the p- layer 6, the p- layer 9, and the p+ layer 8 on the front surface side of the semiconductor base body relative to the p- layer 9.SELECTED DRAWING: Figure 16 【課題】簡単な構造で耐圧を向上させることができ、かつ終端構造部の長さを短縮できる。【解決手段】終端構造部１０１は、活性部１０２の外側に配置され、ＪＴＥ領域を構成するｐ-層６，ｐ-層９および複数のｐ+層８と、ｎ+型チャネルストッパ領域４と、を有する。ｐ-層６およびｐ-層９は、活性部１０２のｐ+ベース層３に連続して設けられ、ｎ-型炭化珪素エピタキシャル層１とのｐｎ接合を形成する。ｐ-層６およびｐ-層９は、半導体基体のおもて面から離れて位置し層間絶縁膜５とは接触しない。ｐ-層９は、ｐ-層６よりも外側で終端する。半導体基体のおもて面とｐ-層９との間に、外側へ向かってｐ+層８とｎ-型炭化珪素エピタキシャル層１とが交互に繰り返し配置される。ｎ+型チャネルストッパ領域４は、終端構造部１０１の最も外側に、ｐ-層６、ｐ-層９およびｐ+層８と離れて、かつｐ-層９よりも半導体基体のおもて面側に設けられている。【選択図】図１６