SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a storage device storing high-capacity data.SOLUTION: A storage device includes a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first capacitor, a second capacitor, and first to third wires. The first transistor includes an oxide semiconductor in a channel formation region. The second transistor includes silicon in a channel formation region. The third transistor includes silicon in a channel formation region. The first capacitor is provided in the same layer as the first transistor. The second capacitor and the first capacitor include regions overlapping with each other. It is preferable that the thickness of the dielectric body of the second capacitor is larger than that of the dielectric body of the first capacitor.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】大容量のデータを記憶する記憶装置を提供する。【解決手段】第１トランジスタと、第２トランジスタと、第３トランジスタと、第１容量素子と、第２容量素子と、第１乃至第３配線とを有する記憶装置である。第１トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第２トランジスタはチャネル形成領域にシリコンを有し、第３トランジスタはチャネル形成領域にシリコンを有する。第１容量素子は第１トランジスタと同じ層に設けられ、第２容量素子と第１容量素子とは、互いに重なる領域を有する。第２容量素子の誘電体の膜厚は、第１容量素子の誘電体の膜厚よりも大きいことが好ましい。【選択図】図６