METHOD AND SYSTEM FOR DETERMINING CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE FOR LOCAL PATTERN DENSITY

To provide a method for reducing a charged particle beam writing time by reducing the dose required to expose a shot or feature.SOLUTION: A method for exposing a pattern at a region on a surface using a charged particle beam system includes inputting a set of original exposure information for the re...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	RYAN PEARMAN, HAROLD ROBERT ZABLE, NAGESH SHIRALI, WILLIAM E GUTHRIE, FUJIMURA AKI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	To provide a method for reducing a charged particle beam writing time by reducing the dose required to expose a shot or feature.SOLUTION: A method for exposing a pattern at a region on a surface using a charged particle beam system includes inputting a set of original exposure information for the region and inputting a target post-proximity effect corrected (PEC) maximum dose. The local pattern density is determined for the region of the pattern on the basis of the set of original exposure information. The maximum pre-PEC dose is determined for the region. The set of original exposure information is modified with the maximum pre-PEC dose.SELECTED DRAWING: Figure 17 【課題】ショットまたは形状を露光するために必要な線量を低減することによって、荷電粒子ビームの書き込み時間を短縮するための方法を提供する。【解決手段】荷電粒子ビームシステムを使用して表面上の領域においてパターンを露光する方法について、その領域の元の露光情報のセットを入力することと、目標の近接効果補正後（ＰＥＣ）の最大線量を入力することが含まれる。局所パターン密度は、元の露光情報のセットに基づいて、パターンの領域に対して判定される。ＰＥＣ前の最大線量がその領域に対して判定される。元の露光情報のセットは、ＰＥＣ前の最大線量で変更される。【選択図】図１７