MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

To effectively mitigate warpage generated in an SiC substrate.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device comprises: a first ion implantation process that performs ion implantation of a dopant into a first surface of a SiC substrate; and a second ion implantation process that performs...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	OTSUBO HIROAKI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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