SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of controlling the shape of a recess.SOLUTION: A substrate processing method according to an exemplary embodiment includes a step (a) of providing a substrate including a first film and a mask disposed on the first film, the first film including a recess having a bottom and sidewalls, a step (b) of forming a second film including carbon and fluorine on the substrate by first plasma generated from a first process gas including the carbon and fluorine, and a step (c) of etching the sidewalls by a second plasma generated from a second process gas including a noble gas, and stopping the etching when the second film remains on the bottom and on the mask.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】凹部の形状を制御できる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】一つの例示的実施形態において、基板処理方法は、（ａ）基板を提供する工程であり、基板は、第１膜と第１膜上に設けられたマスクとを備え、第１膜は、底部及び側壁を有する凹部を備える、工程と、（ｂ）炭素及びフッ素を含む第１処理ガスから生成される第１プラズマにより、基板上に、炭素及びフッ素を含む第２膜を形成する工程と、（ｃ）貴ガスを含む第２処理ガスから生成される第２プラズマにより側壁をエッチングする工程であり、底部及びマスク上に第２膜が残った状態でエッチングを停止する、工程と、を含む。【選択図】図３