PHOTODIODE STRUCTURE

To provide a photodiode structure capable of reducing radio frequency interference.SOLUTION: A semiconductor structure 20 is located on a first electrode 10. A first anti-reflective layer 30 is located on the semiconductor structure 20. A second anti-reflective layer 40 is located on the first anti-reflective layer 30. A second electrode 50 is located on the second anti-reflective layer 40 and electrically connected to the semiconductor structure 20 through the first anti-reflective layer 30 and the second anti-reflective layer 40. A blocking structure 60 is disposed between the first anti-reflective layer 30 and the second electrode 50 to prevent the first anti-reflective layer 30 from directly contacting the second electrode 50.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】無線周波干渉を低減できるフォトダイオード構造を提供する。【解決手段】半導体構造２０は第１電極１０上に位置する。第１反射防止層３０は、半導体構造２０上に位置する。第２反射防止層４０は、第１反射防止層３０上に位置する。第２電極５０は、第２反射防止層４０上に位置し、第１反射防止層３０と第２反射防止層４０を貫通して、半導体構造２０に電気的に接続される。ブロッキング構造６０は、第１反射防止層３０と第２電極５０との間に設置され、第１反射防止層３０が第２電極５０に直接接触するのを防止する。【選択図】図３