LEVEL SHIFT DOWN CIRCUIT, MOTOR DRIVER CIRCUIT, AND ELECTRONIC APPLIANCE

To provide a level shift down circuit capable of high-speed operation.SOLUTION: An inverter 16 inverts an input signal IN. Each of a first transistor M1 and a second transistor M2 is a P-channel double diffusion type MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor. The first transistor M1 has a source co...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: SUGIE TAKASHI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a level shift down circuit capable of high-speed operation.SOLUTION: An inverter 16 inverts an input signal IN. Each of a first transistor M1 and a second transistor M2 is a P-channel double diffusion type MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor. The first transistor M1 has a source connected to a first high-side line 13 and receives the input signal IN in a gate. The second transistor M2 has a source connected to the first high-side line 13 and receives an output signal of the inverter 16 in a gate. A fifth transistor M5 has a drain connected to a second high-side line 14, has a source connected to an output node 12, and a gate connected to a drain of the first transistor M1. A sixth transistor M6 has a source connected to a low-side line 15, has a drain connected to the output node 12, and a gate connected to a drain of the second transistor M2.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高速動作が可能なレベルシフトダウン回路を提供する。【解決手段】インバータ16は、入力信号INを反転する。第1トランジスタM1および第2トランジスタM2は、Pチャンネル二重拡散型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタであり、第1トランジスタM1は、ソースが第1ハイサイドライン13と接続され、ゲートに入力信号INを受ける。第2トランジスタM2は、ソースが第1ハイサイドライン13と接続され、ゲートにインバータ16の出力信号を受ける。第5トランジスタM5は、ドレインが第2ハイサイドライン14と接続され、ソースが出力ノード12と接続され、ゲートが第1トランジスタM1のドレインと接続される。第6トランジスタM6は、ソースがローサイドライン15と接続され、ドレインが出力ノード12と接続され、ゲートが第2トランジスタM2のドレインと接続される。【選択図】図1