SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

To provide a method for suppressing particle generation when modifying a film formed on a substrate using microwave plasma.SOLUTION: A substrate processing method for modifying a film formed on a substrate includes forming a precoat film on a surface of a processing vessel by plasma generated from a...

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Hauptverfasser: NOGAMI TAKAFUMI, KOTE KENICHI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a method for suppressing particle generation when modifying a film formed on a substrate using microwave plasma.SOLUTION: A substrate processing method for modifying a film formed on a substrate includes forming a precoat film on a surface of a processing vessel by plasma generated from a precoat gas using microwaves of a first power, preparing the substrate on a mounting table in the processing vessel, and irradiating the film with hydrogen-containing plasma generated from a hydrogen-containing gas using microwaves of a second power smaller than the first power, thereby modifying the film.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】マイクロ波プラズマを用いて基板上に形成された膜を改質する際、パーティクルを抑制することを提供する。【解決手段】基板上に形成された膜を改質する基板処理方法であって、第1電力のマイクロ波を用いてプリコート用ガスから生成されたプラズマにより処理容器の表面にプリコート膜を形成すること、前記処理容器内の載置台に前記基板を準備すること、及び、前記第1電力より小さい第2電力のマイクロ波を用いて水素含有ガスから生成された水素含有プラズマを前記膜に照射して、前記膜を改質すること、を含む基板処理方法が提供される。【選択図】図3