SILICON CARBIDE INTEGRATED DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED DEVICE

To optimize an edge terminal structure.SOLUTION: An integrated device includes: a semiconductor structure layer which contains silicon carbide and which has a first conductivity type; a power device which is integrated in the structure layer; and an edge terminal structure which is extended in a ring shape around the power device and which has a second conductivity type. The edge terminal structure includes a plurality of ring structures which are each arranged around the power device and which are adjacently paired. At least the first ring structure of the ring structures has a transition region adjacent to the second ring structure of the ring structures. The transition region includes a connection region having the second conductivity type, which is connected to the second ring structure of the ring structures and which is provided alternating with a charge control region having the first conductivity type. 【課題】 エッジ終端構造の最適化を図ることである。【解決手段】 集積デバイスは、シリコンカーバイドを含み、かつ第１の導電型を有する半導体構造層と、構造層に集積化されたパワーデバイスと、パワーデバイスの周りにリング状に延在し、かつ第２の導電型を有するエッジ終端構造と、を含む。エッジ終端構造は、各々がパワーデバイスの周りに配置され、隣接する対となっている複数のリング構造を含む。リング構造のうちの少なくとも第１のリング構造は、リング構造のうちの第２のリング構造に隣接する遷移領域を備える。遷移領域は、リング構造のうちの第２のリング構造に接続され、第１の導電型を有する電荷制御領域と交互になっている、第２の導電型を有する接続領域を含む。