SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device which can prevent an element from being broken due to flowing of a carrier from a diode region into an IGBT region and concentration of the carrier to a boundary in the time of recovery of a diode.SOLUTION: In a semiconductor device 1 that has an IGBT region 21 and a diode region 22 in the same chip, an IGBT in the IGBT region 21 includes: a first conductive type drift layer 2; a second conductive type body layer 3; and a second conductive type first contact layer 5 with a higher impurity concentration than the body layer 3. A diode in the diode region 22 includes: a second conductive type first semiconductor layer 11; and a second conductive type second contact layer 12 with a higher impurity concentration than the first semiconductor layer 11. The area of the second contact layer 12 of the diode of a boundary vicinity 24 near a boundary 23 between the IGBT region 21 and the diode region 22 is less than the area of the second contact layer 12 of the diode at a position farther than the boundary vicinity.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ダイオードのリカバリ時に、ダイオード領域からＩＧＢＴ領域へキャリアが流れ込んで境界部にキャリアが集中して素子が破壊されるのを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】同一チップ内にＩＧＢＴ領域２１とダイオード領域２２とを有する半導体装置１において、ＩＧＢＴ領域２１のＩＧＢＴは、第１導電型のドリフト層２と、第２導電型のボディ層３と、ボディ層３よりも不純物濃度が高い第２導電型の第１のコンタクト層５とを有し、ダイオード領域２２のダイオードは、第２導電型の第１の半導体層１１と、第１の半導体層１１よりも不純物濃度が高い第２導電型の第２のコンタクト層１２とを有し、ＩＧＢＴ領域２１とダイオード領域２２との境界部２３に近い境界部近傍２４のダイオードの第２のコンタクト層１２の面積は、境界部近傍よりも遠い位置のダイオードの第２のコンタクト層１２の面積よりも小さい。【選択図】図１