INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT

To provide an integrated circuit element including a back side contact structure whose degree of integration and reliability are improved.SOLUTION: An integrated circuit element 100 includes a fin type active region F1 including a first fin part F1A and a second fin part F2A separated from each other in an X direction with a contact space therebetween and extending along the X direction, a first source/drain region 130 at a position overlapping with a contact space DBH on the fin type active region in a Z direction, a gate line 160 extending in a Y direction perpendicular to the X direction on the first fin part, an element separation film 112 covering both side walls of each fin part in the Y direction and limiting the width of the contact space in the Y direction, a back side source/drain contact DBC satisfying the contact space, electrically connected to the first source/drain region, and facing the fin parts and the element separation film, and an etching stop layer ESL being in contact with an upper surface of the fin part and existing between the first fin part and the gate line.SELECTED DRAWING: Figure 3A 【課題】集積度及び信頼性が向上させるバックサイドコンタクト構造物を含む集積回路素子を提供する。【解決手段】集積回路素子１００は、コンタクト空間を挟みＸ方向に互いに離隔され、Ｘ方向に沿って延びた第１フィン部分Ｆ１Ａ及び第２フィン部分Ｆ２Ａを含むフィン型活性領域Ｆ１、フィン型活性領域上でコンタクト空間ＤＢＨとＺ方向にオーバーラップされる位置に第１ソース／ドレイン領域１３０と、第１フィン部分上でＸ方向に垂直なＹ方向に延びたゲートライン１６０、フィン部分各々のＹ方向での両側壁を覆い、Ｙ方向においてコンタクト空間の幅を限定する素子分離膜１１２、コンタクト空間を満たし、第１ソース／ドレイン領域に電気的に連結され、フィン部分と素子分離膜に対面するバックサイドソース／ドレインコンタクトＤＢＣ及びフィン部分の上面に接し、第１フィン部分とゲートライン間に介在するエッチング停止層ＥＳＬを含む。【選択図】図３Ａ