POLYMERS, PHOTOSENSITIVE COMPOSITIONS, DRY FILM PHOTORESISTS, AND LITHOGRAPHIC METHODS

To provide a novel photoresist composition for use in PCB processes, aimed at forming positive photoresists developable using sodium carbonate solutions.SOLUTION: A polymer is formed by the reaction of a specific phenolic epoxy resin or a specific bisphenol epoxy resin with carboxylic acid. The carb...

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Hauptverfasser: WU MING-TZUNG, CHANG CHIN-HUA, CHANG TE-YI, HSU YU-YING, HUANG YAO-JHENG
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a novel photoresist composition for use in PCB processes, aimed at forming positive photoresists developable using sodium carbonate solutions.SOLUTION: A polymer is formed by the reaction of a specific phenolic epoxy resin or a specific bisphenol epoxy resin with carboxylic acid. The carboxylic acid has any of chemical structures below, a combination of them. (In the formula, Ar is benzene or naphthalene, X is a hydroxy group, an alkoxy group, or an alkyl group, and at least one X is a hydroxy group, with m=1 to 3. R2 is a C3-7 alkyl group).SELECTED DRAWING: None 【課題】PCBプロセスに用いられる、炭酸ナトリウム溶液を使用して現像することができるポジ型フォトレジストを形成するための、新規なフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】ポリマーは、特定のフェノール型エポキシ樹脂または特定のビスフェノール型エポキシ樹脂とカルボン酸との反応により形成される。前記カルボン酸は次の化学構造のいずれか、またはこれらの組み合わせを有する。TIFF2024062967000051.tif4677(式中、Arはベンゼンまたはナフタレンであり、Xはヒドロキシ基、アルコキシ基、またはアルキル基であり、かつ少なくとも1つのXがヒドロキシ基であり、m=1から3である。R2はC3-7アルキル基である。)【選択図】なし