SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a plurality of transistors corresponding to a multi-gate transistor with a floating body structure.SOLUTION: A semiconductor device 10 includes a transistor element layer 100 including a plurality of transistors corresponding to multi-gate transistors with a floating body structure, a first wire layer 200 stacked on one surface side of the transistor element layer and including at least one signal line for electrically connecting between a source and a gate or between a drain and a gate of at least a pair of transistors among the plurality of transistors, and a second wire layer 300 stacked on the other surface side of the transistor element layer and including at least one signal line for electrically connecting between a source and a gate or between a drain and a gate of at least another pair of transistors among the plurality of transistors.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】フローティングボディー構造のマルチゲートトランジスタである複数のトランジスタを提供する。【解決手段】半導体装置１０は、フローティングボディー構造のマルチゲートトランジスタである複数のトランジスタを有するトランジスタ素子層１００と、トランジスタ素子層の一方の面側に積層され、複数のトランジスタの少なくとも１組のトランジスタ同士のソース－ゲート間またはドレイン－ゲート間を電気的に接続するための少なくとも１つの信号線を有する第１配線層２００と、トランジスタ素子層の他方の面側に積層され、複数のトランジスタの他の少なくとも１組のトランジスタ同士のソース－ゲート間またはドレイン－ゲート間を電気的に接続するための少なくとも１つの信号線を有する第２配線層３００とを備える。【選択図】図１