RADIATION MEASURING DEVICE

To provide a light-weight and small-sized radiation measuring device capable of estimating a flying direction of a fast neutron.SOLUTION: A radiation measuring device 1000 comprises: a semiconductor sensor 100 for detecting radiation; a plurality of front surface electrodes 102 arranged in the semic...

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Hauptverfasser: UENO KATSUNOBU, IWASA JUNJI, NAGUMO YASUSHI, YOSHIHARA YURI, OKADA SATOSHI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a light-weight and small-sized radiation measuring device capable of estimating a flying direction of a fast neutron.SOLUTION: A radiation measuring device 1000 comprises: a semiconductor sensor 100 for detecting radiation; a plurality of front surface electrodes 102 arranged in the semiconductor sensor 100; one or more rear surface electrodes 105 arranged in the semiconductor sensor 100; a bias voltage adjustment portion 101 for applying a bias voltage to form a sensitive layer 108 inside the semiconductor sensor 100; a fast neutron radiator 106 that is provided on the rear surface electrode 105 and converts a neutron to a recoil proton; and a control portion 104 for changing the bias voltage to change thickness of the sensitive layer 108. The sensitive layer 108 can detect a gamma ray and recoil proton as radiation. The front surface electrode 102 detects the radiation detected by the sensitive layer 108. The control portion 104 estimates a flying direction of the neutron on the basis of a detection amount of radiation in the front surface electrode 102 when the bias voltage is increased.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本発明は、高速中性子の飛来方向を推定できる、軽量で小型の放射線測定装置を提供する。【解決手段】本発明による放射線測定装置1000は、放射線を検出する半導体センサ100と、半導体センサ100に配置された複数の表面電極102と、半導体センサ100に配置された1つ又は複数の裏面電極105と、バイアス電圧を印加して半導体センサ100の内部に有感層108を形成するバイアス電圧調整部101と、裏面電極105に設けられて中性子を反跳陽子に変換する高速中性子ラジエータ106と、バイアス電圧を変化させて有感層108の厚さを変化させる制御部104を備える。有感層108は、放射線としてガンマ線と反跳陽子を検出可能である。表面電極102は、有感層108が検出した放射線を検出する。制御部104は、バイアス電圧を増加させていったときの、表面電極102における放射線の検出量に基づき、中性子の飛来方向を推定する。【選択図】図1