SEMICONDUCTOR RELAY

To provide a semiconductor relay capable of achieving high output and suppressing fluctuations in output current due to fluctuations in a drive signal.SOLUTION: A semiconductor relay 1 includes first and second input terminals 14, 15, first and second output terminals 16, 17, a drive circuit 2, a first FET 12, and a Zener diode 11. The first FET 12 is made of a compound semiconductor. The first FET 12 is connected to the first and second output terminals 16 and 17, and is turned on and off by a drive signal from the drive circuit 2. A first output terminal 3 of the drive circuit 2 is connected to a gate electrode 12a of the first FET 12, and a second output terminal 4 of the drive circuit 2 is connected to a source electrode 12b of the first FET 12. An anode electrode 11a of the Zener diode 11 is connected to the source electrode 12b of the first FET 12, and the cathode electrode 11b is connected to the gate electrode 12a.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高出力化が図れるとともに、駆動信号の変動に対する出力電流の変動を抑制できる半導体リレーを提供する。【解決手段】半導体リレー１は、第１及び第２入力端子１４，１５と第１及び第２出力端子１６，１７と駆動回路２と第１ＦＥＴ１２とツェナーダイオード１１とを備えている。第１ＦＥＴ１２は化合物半導体で構成される。第１ＦＥＴ１２は、第１及び第２出力端子１６，１７にそれぞれ接続され、駆動回路２からの駆動信号によりオンオフする。駆動回路２の第１出力端子３は第１ＦＥＴ１２のゲート電極１２ａに、第２出力端子４はソース電極１２ｂにそれぞれ接続される。ツェナーダイオード１１のアノード電極１１ａは第１ＦＥＴ１２のソース電極１２ｂに、カソード電極１１ｂはゲート電極１２ａにそれぞれ接続される。【選択図】図１