ETCHING LIQUID FOR TIN OXIDE FILM

To provide an etching liquid for tin oxide film capable of solving the problem below; i.e. in an electronic circuit made using the LPD method and plating film, since a tin oxide film is conductive, current leakage may occur between metal parts; thus, the tin oxide film must be removed to prevent dam...

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Hauptverfasser: SHIRAHAMA YUJI, SENOO SHUNSAKU
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide an etching liquid for tin oxide film capable of solving the problem below; i.e. in an electronic circuit made using the LPD method and plating film, since a tin oxide film is conductive, current leakage may occur between metal parts; thus, the tin oxide film must be removed to prevent damage to the metal parts (conducting paths).SOLUTION: Etching solution for tin oxide film containing strong alkaline solution (sodium hydroxide, potassium hydroxide) and amino acid or surfactant is capable of etching an exposed tin oxide film without damaging metal parts.SELECTED DRAWING: None 【課題】LPD法とメッキ膜で作製された電子回路では、酸化スズ膜は、導電性を有するため、金属部分と金属部分の間で電流リークが生じるおそれがある。したがって、すでに金属部分(導電路)にダメージが残留しないように酸化スズ膜を除去しなければならない。【解決手段】強アルカリ溶液(水酸化ナトリウム、水酸化カリウム)と、アミノ酸若しくは界面活性剤を有する酸化スズ膜用エッチング液は、金属部分にダメージを与えることなく露出された酸化スズ膜部分をエッチングすることができる。【選択図】なし