SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof that suppresses hot carriers and is applicable to next-generation DDIC platforms.SOLUTION: Ion implantation is performed through a photoresist layer R formed on a gate electrode 28 with an offset distance D0 relative to the end of the gate electrode 28 to form a first LDD region 22 and a second LDD region 24 between a channel region 16 and a drain region 20 of the transistor, and the second LDD region 24 is shallower than the first LDD region 22 from the surface of a semiconductor substrate 10, and the boundary between the first LDD region 22 and the second LDD region 24 is located inside the end of the gate electrode 28.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】ホットキャリアを抑制し、次世代のＤＤＩＣプラットフォームに適用可能な半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極２８の端部に対してオフセット距離Ｄ０を持ってゲート電極２８上に形成されたフォトレジスト層Ｒを介してイオン注入を行うことによって、トランジスタのチャネル領域１６とドレイン領域２０との間に第１ＬＤＤ領域２２及び第２ＬＤＤ領域２４を形成し、第２ＬＤＤ領域２４は、半導体基板１０の表面から第１ＬＤＤ領域２２より浅く、第１ＬＤＤ領域２２と第２ＬＤＤ領域２４の境界はゲート電極２８の端部より内側に位置する構成とする。【選択図】図２