SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

To provide a substrate processing apparatus.SOLUTION: An apparatus includes: a substrate reaction chamber configured to hold and process a substrate; a remote plasma unit for generating a radical gas to clean the substrate reaction chamber; a cooling unit, the cooling unit comprising a tank configur...

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Hauptverfasser: JEONG WONKI, KIM DAEYOUN
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a substrate processing apparatus.SOLUTION: An apparatus includes: a substrate reaction chamber configured to hold and process a substrate; a remote plasma unit for generating a radical gas to clean the substrate reaction chamber; a cooling unit, the cooling unit comprising a tank configured to store water for cooling, a fan configured to generate an air flow, a plurality of fins placed in front of the fan, and a plurality of cooling pipes configured to circulate the water from the tank and positioned to pass through in front of the fan. The water passing through the cooling pipes cools down the air flow generated by the fan.SELECTED DRAWING: Figure 1(a) 【課題】基材処理装置が提示されうる。【解決手段】装置は、基材を保持および処理するように構成された基材反応チャンバと、基材反応チャンバをクリーニングするためのラジカルガスを生成するための遠隔プラズマユニットと、冷却ユニットであって、冷却用の水を貯蔵するように構成されたタンクと、空気流を発生させるように構成されたファンと、ファンの前方に定置された複数のフィンと、タンクからの水を循環させるように構成され、かつファンの前方を通過するように位置付けられた複数の冷却管と、を備える冷却ユニットと、を備え、冷却管を通過する水は、ファンによって生成された空気流を冷却する。【選択図】図1(a)