SUBSTRATE PROCESSING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PROGRAM, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

To provide a technique capable of improving the quality of a film formed on a substrate.SOLUTION: A substrate processing method includes the steps of: (a) supplying a first gas containing a group 14 element to a substrate having a recess; (b) supplying a second gas containing a group 15 or 13 element to the substrate; (c) forming a first film containing the group 14 element in the recess by performing (a) and (b) with the second gas as a first concentration and stopping deposition before filling the inside of the recess fully with the first film; and (d) performing (b) with the second gas as a second concentration and subjecting the substrate to heat treatment after (c).SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】基板上に形成される膜の質を向上させることが可能な技術を提供する。【解決手段】（ａ）凹部を有する基板に対して、第１４族元素を含む第１ガスを供給する工程と、（ｂ）前記基板に対して、第１５族又は第１３族元素を含む第２ガスを供給する工程と、（ｃ）前記第２ガスを第１濃度として、（ａ）と（ｂ）と行うことにより、前記凹部に前記第１４族元素を含む第１膜を形成し、凹部内を前記第１膜で埋めきる前に成膜を止める工程と、（ｄ）（ｃ）の後に、前記第２ガスを第２濃度として（ｂ）を行うとともに、前記基板を熱処理する工程と、を有する。【選択図】図４