SEMICONDUCTOR DEVICE AND SWITCHING CIRCUIT

To provide a semiconductor device capable of suppressing excessive voltage breakdown.SOLUTION: A switching transistor M1 is a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN-HEMT) formed on a GaN chip. A resistor R1, which is an impedance component, is connected between a first gate terminal G1 and a gate of the switching transistor M1. A first rectifying element D1 is connected in parallel to the resistor R1 between the first gate terminal G1 and the gate of the switching transistor M1, in a direction that an anode is on a side of the gate of the switching transistor M1. A second rectifying element D2 is connected in parallel to the resistor R1 between the first gate terminal G1 and the gate of the switching transistor M1, in a direction that a cathode is on a side of the gate of the switching transistor M1.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】耐圧オーバーを抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】スイッチングトランジスタＭ１は、ＧａＮチップに形成されるＧａＮ－ＨＥＭＴ（HighElectronMobilityTransistor）である。インピーダンス素子である抵抗Ｒ１は、第１ゲート端子Ｇ１とスイッチングトランジスタＭ１のゲートの間に接続される。第１整流素子Ｄ１は、第１ゲート端子Ｇ１とスイッチングトランジスタＭ１のゲートの間に抵抗Ｒ１と並列に、アノードがスイッチングトランジスタＭ１のゲート側となる向きで接続される。第２整流素子Ｄ２は、第１ゲート端子Ｇ１とスイッチングトランジスタＭ１のゲートの間に抵抗Ｒ１と並列に、カソードがスイッチングトランジスタＭ１のゲート側となる向きで接続される。【選択図】図１