SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PHOTOVOLTAIC MODULE
SOLUTION: The present disclosure relates to a solar cell and a manufacturing method thereof, and a photovoltaic module. A solar cell includes an N-type semiconductor substrate 10 having a front surface and a rear surface opposite to each other. A first passivation layer 30 is provided on the front s...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | SOLUTION: The present disclosure relates to a solar cell and a manufacturing method thereof, and a photovoltaic module. A solar cell includes an N-type semiconductor substrate 10 having a front surface and a rear surface opposite to each other. A first passivation layer 30 is provided on the front surface, which surface is provided with a first electrode 40. A phosphorus-doped polysilicon layer 60 is arranged on the rear surface of the N-type semiconductor substrate. An oxide layer 50 containing nitrogen and phosphorus is arranged between the rear surface of the N-type semiconductor substrate and the phosphorus-doped polysilicon layer. A second passivation layer 70 is arranged on a surface of the phosphorus-doped polysilicon layer. A second electrode 80 is provided on a surface of the second passivation layer.EFFECT: An oxide layer containing nitrogen and phosphorus is provided between an N-type semiconductor substrate and a phosphorus-doped polysilicon layer on a rear surface of the solar cell, which improves tunneling capability of the rear surface of the solar cell as well as passivation effect of the rear surface of the solar cell, thereby enabling improving conversion efficiency of the solar cell.SELECTED DRAWING: Figure 1
【解決手段】本願は、太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュールに関する。太陽電池は、互いに反対である正面と背面を有するN型半導体基板10を含み、その正面には、第1パッシベーション層30が設けられており、その表面には、第1電極40が設けられている。N型半導体基板の背面には、リンドープ多結晶シリコン層60を有し、N型半導体基板の背面とリンドープ多結晶シリコン層との間に、窒素リン含有酸化層50が介在される。リンドープ多結晶シリコン層の表面には、第2パッシベーション層70が設けられており、第2パッシベーション層の表面には、第2電極80が設けられている。【効果】電池背面のN型半導体基板とリンドープ多結晶シリコン層との間に窒素リン含有酸化層を設けることにより、電池背面のトンネル能力を向上させるとともに、電池背面のパッシベーション効果を向上させ、変換効率を向上させることができる。【選択図】図1 |
---|