SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

To provide a semiconductor memory device that operates suitably.SOLUTION: A semiconductor memory device includes: a substrate; a first sub-memory block and a second sub-memory block aligned in a first direction intersecting a surface of the substrates; and a control circuit that controls the first sub-memory block and the second sub-memory block. The first sub-memory block includes a first memory cell and a first word line connected to the first memory cell. The second sub-memory block includes a second memory cell and a second word line connected to the second memory cell. The control circuit is configured to be able to execute a first writing operation and a second writing operation for the first memory; applies a program voltage to the first word line; applies a first non-selected write voltage lower than the program voltage in the first write operation, to the second word line; applies a program voltage to the first word line; and applies a second non-selected write voltage lower than the first non-selected writing voltage to the second word line in the second writing operation.SELECTED DRAWING: Figure 31 【課題】好適に動作する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、基板と、基板の表面と交差する第１方向に並ぶ、第１サブメモリブロック及び第２サブメモリブロックと、第１サブメモリブロック及び第２サブメモリブロックを制御する制御回路とを備える。第１サブメモリブロックは、第１メモリセルと、第１メモリセルに接続された第１ワード線とを備える。第２サブメモリブロックは、第２メモリセルと、第２メモリセルに接続された第２ワード線とを備える。制御回路は、第１メモリセルに対する第１書込動作と第２書込動作とを実行可能に構成され、第１書込動作において、第１ワード線にプログラム電圧を印加し、第２ワード線にプログラム電圧よりも低い第１非選択書込電圧を印加し、第２書込動作において、第１ワード線にプログラム電圧を印加し、第２ワード線に第１非選択書込電圧よりも低い第２非選択書込電圧を印加する。【選択図】図３１