SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
To provide a semiconductor device with reduced warpage.SOLUTION: A semiconductor device 100A includes an interlayer insulating film 33, and a wiring 53 of an uppermost layer arranged on the interlayer insulating film 33. The wiring 53 includes a seed layer 53a arranged on the interlayer insulating f...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
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| Zusammenfassung: | To provide a semiconductor device with reduced warpage.SOLUTION: A semiconductor device 100A includes an interlayer insulating film 33, and a wiring 53 of an uppermost layer arranged on the interlayer insulating film 33. The wiring 53 includes a seed layer 53a arranged on the interlayer insulating film 33 and a wiring body portion 53b arranged on the seed layer 53a. A constituent material of the wiring body portion 53b is copper or a copper alloy. A trench 37 is formed in an upper surface of the interlayer insulating film 33 along an outer edge of the interlayer insulating film 33 in a plan view.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】反りの低減された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００Ａは、層間絶縁膜３３と、層間絶縁膜３３上に配置されている最上層の配線５３とを備える。配線５３は、層間絶縁膜３３上に配置されているシード層５３ａと、シード層５３ａ上に配置されている配線本体部５３ｂとを有する。配線本体部５３ｂの構成材料は、銅又は銅合金である。層間絶縁膜３３の上面には、層間絶縁膜３３の平面視における外周縁に沿って溝３７が形成されている。【選択図】図２ |
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