SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

To improve uniformity of etching processing in a technique to collectively etch a plurality of substrates.SOLUTION: A substrate processing apparatus according to the present disclosure comprises a processing tank, a gas supply unit, a changing unit, and a control unit. The processing tank performs etching processing on a plurality of substrates having a plurality of types of metal layers by immersing the substrates in processing liquid. The gas supply unit is arranged below the plurality of substrates inside the processing tank, and discharges a gas to an inside of the processing tank. The changing unit changes a flow rate of the gas discharged from the gas supply unit. The control unit controls the changing unit to cause the gas to be discharged from the gas supply unit at a first flow rate during a first period from when the etching processing is started, and subsequently change the flow rate of the gas supplied from the gas supply unit to a second flow rate smaller than the first flow rate.SELECTED DRAWING: Figure 10 【課題】複数の基板を一括してエッチングする技術において、エッチング処理の均一性を向上させる。【解決手段】本開示による基板処理装置は、処理槽と、気体供給部と、変更部と、制御部とを備える。処理槽は、複数種類の金属層を有する複数の基板を処理液に浸漬させてエッチング処理を行う。気体供給部は、処理槽の内部において複数の基板よりも下方に配置され、処理槽の内部に気体を吐出する。変更部は、気体供給部から吐出される気体の流量を変更する。制御部は、変更部を制御して、エッチング処理が開始されてからの第１の期間において、気体供給部から第１の流量で気体を吐出させた後、気体供給部から供給される気体の流量を第１の流量よりも少ない第２の流量に変更する。【選択図】図１０