SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device capable of improving durability quality.SOLUTION: A semiconductor device 1 has: a first transistor 10 which is a normally-on transistor having a first source 11, a first drain 12 and a first gate 13; and a second transistor 20 which is a normally-off transistor having a second source 21 electrically connected to the first drain 12, a second drain 22, and a second gate 23. The first gate 13 is inputted with a first gate signal Sg1 which turns on after a second gate signal Sg2 at the time of turn on and turns off before the second gate signal Sg2 at the time of turn off, and the second gate 23 is inputted with the second gate signal Sg2 which turns on before the first gate signal Sg1 at the time of turn on and turns off after the first gate signal Sg1 at the time of turn off. For the first gate signal and the second gate signal, their delay amounts are respectively set independently.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】耐久品質を向上させる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、第１ソース１１、第１ドレイン１２及び第１ゲート１３を有するノーマリーオントランジスタである第１トランジスタ１０と、第１ドレイン１２に電気的に接続された第２ソース２１、第２ドレイン２２及び第２ゲート２３を有するノーマリーオフトランジスタである第２トランジスタ２０と、を有する。第１ゲート１３には、ターンオン時において、第２ゲート信号Ｓｇ２よりも後行してオンし、ターンオフ時において、第２ゲート信号Ｓｇ２よりも先行してオフする第１ゲート信号Ｓｇ１が入力され、第２ゲート２３には、ターンオン時において、第１ゲート信号Ｓｇ１よりも先行してオンし、ターンオフ時において、第１ゲート信号Ｓｇ１よりも後行してオフする第２ゲート信号Ｓｇ２が入力される。第１ゲート信号と第２ゲート信号は、それぞれ独立して遅延量が設定される。【選択図】図１