PLASMA PROCESSING APPARATUS

To restrain process fluctuations from being caused by the deterioration of parts.SOLUTION: A plasma processing apparatus, which comprises a chamber and an RF power source connected to the chamber, is provided. The plasma processing apparatus includes: a base which has a central part subjected to arrangement of an electrostatic chuck and a peripheral edge surrounding the central part, and which has a top surface of the peripheral edge located in a position lower than a top surface of the central part; insulating covering which is arranged to surround an outer periphery of the base; a first conductive ring which is arranged on the electrostatic chuck; a second conductive ring which is arranged separately from the first conductive ring on the covering: and a third conductive ring which is arranged on the peripheral edge of the base, and the top surface of which mutually faces an undersurface of the second conductive ring via the covering or the outer peripheral-side lateral surface of which mutually faces an inner peripheral-side lateral surface of the second conductive ring via the covering.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】パーツの消耗によるプロセス変動を抑制する。【解決手段】チャンバとチャンバに結合されるＲＦ電源とを備えるプラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、静電チャックが配置される中央部と、中央部を囲む周縁部とを有する基台であって、周縁部の上面は中央部の上面よりも低い位置にある基台と、基台の外周を囲むように配置される絶縁性のカバーリングと、静電チャック上に配置される第１の導電性リングと、カバーリング上に第１の導電性リングとは離隔して配置される第２の導電性リングと、基台の周縁部上に配置される第３の導電性リングであって、第３の導電性リングの上面と第２の導電性リングの下面とがカバーリングを介して互いに対向する、又は、第３の導電性リングの外周側の側面と第２の導電性リングの内周側の側面とがカバーリングを介して互いに対向する、第３の導電性リングと、を備える。【選択図】図２