FILM DEPOSITION APPARATUS

To provide a film deposition apparatus capable of reducing the deterioration of quality of a thin film more than before.SOLUTION: A film deposition apparatus capable of forming a thin film consisting of material gas subjected to plasma treatment on a predetermined surface of a base material by subje...

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Hauptverfasser: YAMASHITA MASAMITSU, KOMORI TSUNENORI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a film deposition apparatus capable of reducing the deterioration of quality of a thin film more than before.SOLUTION: A film deposition apparatus capable of forming a thin film consisting of material gas subjected to plasma treatment on a predetermined surface of a base material by subjecting the material gas to the plasma treatment by plasma treatment means includes the plasma treatment means including an electrode unit for forming a plasma atmosphere and material gas supply means for supplying the material gas between the predetermined surface of the base material and the electrode unit. The plasma treatment means includes: a film deposition mode supplying the material gas between the predetermined surface of the base material and the electrode unit by the material gas supply means and subjecting the material gas to the plasma treatment by the electrode unit to form the thin film on the predetermined surface of the base material; and a surface treatment mode for subjecting the surface of the thin film on the base material to plasma treatment by the electrode unit without forming the thin film.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】従来よりも薄膜の膜質の低下を軽減することができる成膜装置を提供することを目的としている。【解決手段】プラズマ雰囲気を形成する電極ユニットと、基材の所定面と前記電極ユニットとの間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、を有するプラズマ処理手段を備え、前記プラズマ処理手段により原料ガスをプラズマ処理することによって、基材の所定面にプラズマ処理された前記原料ガスからなる薄膜を形成する成膜装置であって、前記プラズマ処理手段は、前記原料ガス供給手段により基材の所定面と前記電極ユニットとの間に前記原料ガスを供給し、前記電極ユニットにより前記原料ガスをプラズマ処理して基材の所定面に前記薄膜を形成する成膜モードと、前記薄膜の形成は行わず、前記電極ユニットにより基材上の前記薄膜の表面に対してプラズマ処理を行う表面処理モードと、を有している構成とする。【選択図】図1