THERMAL TREATMENT DEVICE

To provide a thermal treatment device capable of efficiently heating a substrate.SOLUTION: A flush heating part 5 comprising a plurality of flush lamps FL is provided on an upper side of a chamber 6 for housing a semiconductor wafer W is provided, and an auxiliary heating part 4 having a plurality of VCSELs (a vertical resonance type surface light emitting layer) 45 is provided on a lower side. After the semiconductor wafer W is pre-heated by a light irradiation from each VCSEL 45, the flush light is radiated to a front surface of the semiconductor wafer W from each flush lamp FL to momently increase a temperature of the front surface. Each VCSEL 45 can emit light of a relative high intensity as compared with an LED. Therefore, if the light is radiated from the plurality of VCSELs 45, the intensity of the light radiated to the semiconductor wafer W can be enhanced, and the semiconductor wafer W cna be efficiently heated.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】基板を効率良く加熱することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６の上側に複数のフラッシュランプＦＬを備えたフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側に複数の複数のＶＣＳＥＬ（垂直共振器型面発光レーザー）４５を備える補助加熱部４が設けられる。ＶＣＳＥＬ４５からの光照射によって半導体ウェハーＷを予備加熱した後、フラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光を照射して当該表面を瞬間的に昇温する。ＶＣＳＥＬ４５は、ＬＥＤと比較しても相対的に高い強度の光を出射することが可能である。このため、複数のＶＣＳＥＬ４５から光照射を行えば、半導体ウェハーＷに照射される光の強度も高くすることができ、半導体ウェハーＷを効率良く加熱することができる。【選択図】図１