METHOD OF MANUFACTURING WAFER

To provide a method of manufacturing a wafer that can improve the throughput while reducing a waste of material.SOLUTION: A method of manufacturing a wafer includes: an entire plane processing step 1 of forming a separation initiating point in entire planes in an ingot by repeating a separation initiating point forming step 2 of, while positioning a focal point of a laser beam within the ingot, moving the focal point and the ingot relatively to each other along a predetermined processing feed direction, thereby forming separation initiating points including modified layers in a plane parallel to a first surface of the ingot and cracks developed from the modified layers, and an indexing feed step 3 of indexing-feeding the focal point relatively; and a separating step 4 of separating a wafer from the ingot starting from the separation initiating points. The separation initiating point forming step 2 includes forming a plurality of focal points of the laser beam in a depth direction of the ingot at intervals corresponding to a thickness of a wafer to be manufactured, thereby forming a plurality of separation initiating points at respective different depths in the ingot in one entire plane processing step 1.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】材料ロスを低減させつつスループットを向上させることができるウエーハの製造方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの製造方法は、レーザービームの集光点をインゴットの内部に位置づけた状態で所定の加工送り方向に沿って相対的に移動させることで、第一の面に対して平行な平面に改質層と改質層から伸展するクラックとを含む分離起点を形成する分離起点形成ステップ２と、集光点を相対的に割り出し送りする割り出し送りステップ３と、を繰り返し行うことによりインゴットの内部全面に分離起点を形成する全面加工ステップ１と、分離起点を起点としてインゴットからウエーハを分離する分離ステップ４と、を備え、分離起点形成ステップ２でレーザービームの集光点を製造すべきウエーハの厚みに対応する間隔でインゴットの深さ方向に複数形成することによって、一度の全面加工ステップ１でインゴットの異なる深さ位置に複数の分離起点を形成する。【選択図】図３